在薄膜、塑料或玻璃基体材料上制作各种功能图形并精确定位,以便用于光致抗蚀剂涂层选择性曝光的一种结构,称为光刻掩模版。 半导体集成电路制作过程通常需要经过多次光刻工艺,在半导体晶体表面的介质层上开凿各种掺杂窗口、电极接触孔或在导电层上刻蚀金属互连图形。光刻工艺需要一整套(几块多至十几块)相互间能精确套准的、具有特定几何图形的光复印掩蔽模版。